تأثیر همزمان فشار و میدان لیزر بر انرژی بستگی ناخالصی در نانو ساختارها
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه
- نویسنده سمیه علیرضایی
- استاد راهنما ابراهیم صادقی سید فردین تقی زاده
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پایان نامه نخست به معرفی نانو ساختارها پرداخته و آنگاه ویژگیهای فیزیکی برخی از آنها بررسی شده است. ترازهای انرژی الکترون در نقطه کوانتومی مکعبی تحت تأثیر میدان الکتریکی خارجی محاسبه شده و بر حسب شار ترسیم شده است. قطبش پذیری بر حسب زاویه اعمال میدان خارجی نیز محاسبه و بازاء ابعاد مختلف نقطه کوانتومی ترسیم گردیده است. با استفاده از تغییر متغیر مناسب تأثیر میدان با قطبش بیضوی بر خواص خطی و غیر خطی ضریب جذب اپتیکی در نقطه کوانتومی بیضوی بررسی شده است. پتانسیل تعدیل یافته تحت تأثیر میدان لیزری معرفی و ساختار سیم کوانتومی تحت این میدان بررسی گردیده است. تأثیر همزمان فشار و دما و پتانسیل تعدیل یافته کولنی بر انرژی بستگی ناخالصی واقع در سیم کوانتومی بررسی شده است.
منابع مشابه
تأثیر میدان های الکتریکی فضایی و مغناطیسی بر انرژی بستگی ناخالصی و خودقطبیده گی در سیم کوانتومی مربعی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...
متن کاملتأثیر فشار اکسیژن بر ساختار و هدایت الکتریکی لایه‌های نازکBa0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ در لایه‌نشانی لیزر پالسی
در این مقاله، پودرBa0.5 Sr0.5 Co0. 8 Fe0.2 O3-δ (BSCF) با هدف استفاده به عنوان کاتد پیل سوختی اکسید جامد به روش سل- ژل ساخته شد. همچنین، لایه‌های نازک BSCF روی زیر لایه(STO) SrTiO3، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. ساختار بلوری این نمونه‌ها توسط پراش پرتو X (XRD) و مورفولوژی سطح لایه‌ها...
متن کاملتأثیر تغییر مکان یک ناخالصی بر ترابرد الکترونی یک نانو حلقه در حضور میدان مغناطیسی
از پدیده های جالبی که در الکترونیک مولکولی مورد بررسی قرار می گیرد، اثر میدان مغناطیسی در سامانه های شامل مولکول های حلقوی است. از جمله این سامانه ها مولکول فولرن و حلقه پلی استیلن است. با استفاده از روش هایی مانند تغییر محل اتصال هادی های ورودی و خروجی، اعمال میدان خارجی، تزریق ناخالصی و غیره می توان ویژگی های ترابردی این سامانه ها را کنترل نمود. در این پایان نامه، با استفاده از روش تابع گرین ...
15 صفحه اولاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منح...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023